Как утверждает компания Samsung Electronics, ее специалисты завершили разработку первого в мире модуля памяти DDR3 объемом 32 ГБ, предназначенного для серверов. Модуль рассчитан на напряжение питания 1,35 В.

В конструкции модуля используются микросхемы памяти DDR3 производства Samsung плотностью 4 Гбит, изготавливаемые по нормам «50-нанометрового класса». О выпуске этих микросхем компания сообщила в конце января текущего года.

Напряжение питания микросхем DDR3 DRAM составляет 1,35 В. По словам производителя, снижение напряжения питания микросхем позволит существенно уменьшить энергопотребление модулей памяти и сократить выделение тепла. В свою очередь, повышение плотности памяти сокращает затраты на модернизацию и обслуживание вычислительной техники.

Аналитики компании IDC оценивают долю памяти типа DDR3 в 29% от общего объема поставок памяти DRAM в текущем году. Согласно прогнозу IDC, к 2011 году этот показатель вырастет до 75%.